AMR传感器（磁性传感器）术语表4-韦克威-专注技术,专业服务

AMR传感器（磁性传感器）术语表4

Magnetoresistance effect 磁电阻效应

在主要由镍、铁、铜和其他用于磁电阻元件的铁磁金属组成的合金薄膜中，当铁磁性金属受到外部磁场的作用时，在分子水平上，三维带电子轨道平面发生旋转，再加上电子固有自旋轨道的相互作用，导致三维能带电子分布发生畸变（d波段波函数发生畸变）。

结果，电子寻求能量稳定性，这激发了传导电子发生在4s波段的概率变化，这是一个不同的电子轨道，这种状态表现为电阻的变化。

mT 毫特斯拉

毫特斯拉。磁通量密度单位的名称。（国际单位制）

用高斯的CGS单位换算为1mT=10高斯。

Non-contact

非接触式

非接触表示无需直接接触即可执行操作。

对于AMR传感器，安装了传感器的电路板包含在产品中，这样可以用于以下应用。

不直接可见的传感器。

易于适应防水结构的开关

不想向用户显示的开关

它们的特性使其应用范围极为广泛，例如当外壳由磁力通过的材料制成时，可以从传感器外部进行操作。

使用簧片开关的位置有触点，但AMR传感器没有任何触点。在操作环境恶劣的地方，例如那些受到冲击或振动的地方，AMR传感器可以提供更高的可靠性。在某些情况下，可以使用与簧片开关相同的磁铁，而无需任何修改。

韦克威科技专注进口品牌国产化12年，专业FAE团队可为您提供一系列芯片级电流传感器替代升级方案以及典型应用产品，详情可与技术人员联系。

李工：18576410868