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AMR传感器与霍尔效应传感器的区别-韦克威-更高精度,更强抗扰

2020-10-17 18:15:27 韦克威科技 46

AMR传感器(磁性开关)和霍尔效应传感器之间的区别

AMR磁性材料更小更薄

AMR传感器可使用的磁场范围更宽,可以实现更大的检测范围。

较大的检测范围可减少外壳和安装中的差异,并且可以使用比霍尔效应传感器更小,更薄的磁体设计。

AMR传感器

磁铁方向的差异

在霍尔效应传感器中,当磁体直接位于传感器上方时,该磁体垂直放置。 在AMR传感器中,磁体平行于传感器放置。 每个磁场的检测方向是不同的。

AMR原理

由于磁铁两极附近的磁力很强,因此如果使用垂直放置,则当信用卡或其他磁性材料在附近时,可能会影响数据准确性。 因此,当磁体不会垂直放置在诸如智能手机和笔记本电脑之类的电子设备中时,AMR传感器将非常有用。 (这并不意味着使用水平放置时磁数据不会丢失。)

设计灵活性


AMR传感器具有多种可用于检测水平磁场的布局模式,因此具有广泛的设计灵活性。

AMR传感器布置

另一方面,霍尔效应传感器通常在垂直方向上对磁场进行精确定位检测,由于建议磁铁直接位于霍尔效应传感器的正上方且处于近距离,因此其设计灵活性有限。

AMR传感器与霍尔效应传感器对比表


AMR传感器霍尔IC
检测方向磁电阻效应霍尔效应
传感器材料Ni和Fe-Si型InSb类型
检测磁场平行垂直
探测区域


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李工:18576410868


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