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UCC21750 SiC/IGBT单通道隔离栅驱动器

2021-03-25 00:00:00 szwkw
关键词: Texas Instruments 阅读 :

摘要:德州仪器的栅极驱动器具有主动保护、隔离模拟传感和高CMTI特性

韦克威军用电子元器件
德州仪器公司的UCC21750 galvanic isolated single channel gate driver专为SiC mosfet和igbt设计,工作电压高达2121 V(DC),具有先进的保护功能,最佳的动态性能和鲁棒性。UCC21750具有高达±10的峰值源极和sink电流。输入端采用SiO(2)电容隔离技术与输出端隔离,支持高达1.5 kV(RMS)的工作电压,12.8 kV(PK)浪涌抗冲击,隔离屏障寿命超过40年,并提供较低的部件间偏移,以及大于150 V/ns共模噪声抗扰(CMTI)。


UCC21750包括最先进的保护功能,如快速过流和短路检测,并联电流传感支持,故障报告,有源米勒钳位,输入和输出端电源UVLO,以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。隔离的模拟PWM传感器可用于更容易的温度和电压传感,增加驱动器的通用性,并简化系统设计工作,大小和成本。


特性5.7 kV (RMS),单通道高达2121 V(PK)的SiC mosfet和igbt输出驱动电压(V(DD)-V(EE)): 33 V(max)驱动强度(±10 A)和分割输出CMTI: 150 V/ns(最小)响应时间DESAT保护:200 ns内部主动铣床夹具:4a具有PWM输出的隔离模拟传感器:使用NTC, PTC或热二极管进行温度传感高压直流链路或相位电压当故障发生时,软断路(400 mA)过流报警FLT,并从RST/EN复位快速启用/禁用响应在RST/EN在输入引脚上拒绝40ns的噪声瞬态和脉冲UVLO (12 V V(DD)), RDY上电良好输入/输出具有过/欠冲瞬态电压抗扰度可达5v传输延迟130 ns (max),脉冲/部份偏斜30 ns (max)包装:SOIC-16 DW与 8毫米漏电和间隙距离工作结温度范围:-40°C至+150°C
应用程序工业马达驱动器服务器,电信和工业电源不间断电源太阳能逆变器
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