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GMR传感器的起源-韦克威-巨磁阻传感器

2020-10-17 18:12:55 韦克威科技 58

GMR可以被认为是纳米技术领域很早的实际应用之一。”      —Nobel Prize Committee, October 2007


“巨磁电阻”中的巨是什么?

     尽管巨磁电阻GMR)中的“巨”一词似乎与纳米技术设备不协调,但它指的是当器件受到磁场作用时电阻的巨大变化(通常为10%到20%),而其他类型的磁传感器的最大灵敏度只有几%。

纳米技术结构

GMR结构是夹在超薄非磁性导电中间层周围的铁磁合金:

GMR传感器结构

(A) 是一种导电的非磁性夹层。由于反铁磁耦合,合金(B)层的磁矩方向相反。抗电流(C)高。非磁性导电层通常是铜。铜通常是一种优良的导体,但当铜只有几个原子厚时,电子散射会使铜的电阻显著增加。这种电阻的变化取决于导电层周围电子自旋的相对方向

施加外部磁场(D)克服反铁磁耦合,使合金(B)层中的磁矩对齐:


GMR传感器应用

这样就可以利用这种外场感应装置来改变外场的结构。为了提高灵敏度,实际装置通常由多层交变磁性层和非磁性层组成。


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李工:18576410868

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