BMS系统中开环霍尔传感器-韦克威

本文总结了BMS上几种常见的总线电流检测方案。

电流检测是BMS的一项基本功能，这在GB / T 38661 2020电动汽车电池管理系统中明确要求。

霍尔电流传感器方案

首先，我们需要了解霍尔效应的概念：当小电流IC通过垂直于外部磁场的半导体时，载流子将偏转，并且将产生一个垂直于电流IC方向的附加电场。磁场B，从而在半导体的两端产生电势差VH。该现象称为霍尔效应，该电位差VH也称为霍尔电压。

具体来说，您可以看一下：原理的在线解释：如果将垂直于电流方向的磁场施加到半导体上，则半导体中的电子和空穴将受到洛伦兹力在不同方向上，然后在聚集的电子和空穴之间会产生电场。在电场力和洛伦兹力平衡之后，此时，电场将使后面的电子和空穴受到电场力，并平衡磁场产生的洛伦兹力，从而使后面的电子和孔可以顺利通过而不会出现偏差。这种现象称为霍尔效应。

此外，如何使用霍尔效应来测量电流？由于霍尔电压与磁场强度和流经半导体的小电流成正比，因此，如果我们提供恒定的，经过半导体的小电流，那么霍尔电压仅与磁场强度成正比，并具有一定的函数关系可以在两者之间建立。然后，如果将要在总线中测量的大电流所产生的磁场施加到上部半导体（磁场垂直于半导体内部的电流），则霍尔电压与大电流之间的某种函数关系就变成了产生待测电流，并且霍尔电压可用于指示待测电流。以上是绕道而行的，建议多读几次。常见的霍尔效应电流传感器包括开环和闭环。似乎还有一种称为ETA霍尔电流传感器的技术，但这并不是很常见。下图显示了开环霍尔电流传感器的基本结构。导线中会通过待测电流IP产生磁场。该磁场集中在磁芯中，并且在磁芯的一侧上存在气隙。将半导体霍尔元件放置在气隙中以感测气隙处的磁场强度。

继续分析，在半导体霍尔元件中通过一个恒定的小电流IC，因此根据霍尔效应，半导体的两端都会有一个霍尔电压，该电压经过放大和调整后输出到外部，然后将其大小可以计算IP的百分比。

一般而言，开环霍尔电流传感器的优点是成本低，体积小，重量轻，功耗低。缺点是精度稍差，零偏移大。看一下产品

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李工：18576410868